Nexperia BC807
" (72707)BC807晶体管（PNP）
该资料详细介绍了BC807型PNP晶体管的产品特性，包括其最大额定值、电气特性、典型特性、分类以及封装尺寸。资料涵盖了晶体管的物理、电气和机械特性，以及其在不同温度下的性能表现。
BC807U
该资料详细介绍了BC807U双PNP晶体管的产品特性，包括最大额定值、电气特性、典型特性、封装尺寸和推荐焊盘布局。资料涵盖了晶体管的电压、电流、功耗、热阻、频率响应等关键参数，以及静态和动态特性。
BC807W塑封晶体管
本资料介绍了BC807W型塑料封装晶体管（PNP型）的技术规格和特性。资料详细列出了该产品的最大额定值、电气特性、典型特性以及分类信息。
BC807W晶体管（PNP）
本资料详细介绍了BC807W型PNP晶体管的产品特性、电气特性、典型特性和封装尺寸。该晶体管采用 epitaxial planar die 结构，与BC817W互补，适用于自动插入，具有高可靠性和良好的电气性能。
Nexperia Selection Guide 2021
CERTIFICATE ISO/TS 16949:2009 Nexperia Philippines Inc. Nexperia Philippines Inc.
China RoHS BC807
CERTIFICATE NexperiaB.V. ISO 14001:2015
Quality Information for Product Type BC807
Reliability Results for Product Type BC807
CERTIFICATE ISO/TS 16949:2009 Nexperia UK Ltd.
CERTIFICATE NexperiaB.V. OHSAS 18001:2007
Nexperia Logic Translators
Nexperia B.V.和附录中提到的组织的新ISO 14001：2015和ISO 45001：2018证书
Nexperia B.V. 及相关组织获得新的 ISO 14001:2015 和 ISO 45001:2018 认证。由于新冠疫情影响，审计以远程方式进行，有效期限延长六个月。远程审计覆盖所有标准要素，Nexperia 已实施所有纠正措施，并计划在 2021 年 5 月/6 月进行现场监督审计，以确保证书更新。
Nexperia一瞥
Nexperia专注于高体积生产的离散和MOSFET组件以及模拟和逻辑IC，满足汽车行业严格的品质标准。公司以效率为核心，每年生产超过900亿个半导体产品，产品在工艺、尺寸、功率和性能方面具有行业领先的小型封装。Nexperia在全球拥有超过11,000名员工，业务遍及亚洲、欧洲和美国，提供全球支持。公司在小信号二极管和晶体管、ESD保护器件、PowerMOS汽车、逻辑器件等领域位居行业前列。
Nexperia packing indications Packing letter codes used in orderable part number
Nexperia Home 8550软件开发套件
Nexperia Home 8550软件开发套件（NH-8550 SDK）为开发基于Nexperia PNX8550家庭娱乐引擎的电视、机顶盒和家用媒体服务器产品提供了一套完整的参考平台。该套件包括基于PNX8550的参考硬件、系统软件、AV流媒体软件层、操作系统、演示和示例应用程序、测试流、诊断软件和软件工具。NH-8550 SDK支持全球模拟电视标准的基本功能，包括双路模拟电视信号调谐和解码、数字静态图像格式解码和多种MPEG音频标准解码。此外，SDK还支持多种数据服务捕获和多种可选功能。
Paralleling of Nexperia GaN FETs: How to overcome challenges in Paralleling GaNFETs and increase the power capability of a Power design
Nexperia Selection Guide 2020
Nexperia NFC antenna protection diodes PESD18VF1Bx and PESD24VF1Bx
BC807 series 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
BC808晶体管（PNP）
本资料介绍了BC808型PNP晶体管，其适用于AF驱动级和低功耗输出级。资料详细列出了该晶体管的最高额定值、电气特性、分类以及封装尺寸。
用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS中的Nexperia精密电热模型
本资料介绍了Nexperia公司提供的电热MOSFET模型，包括如何在LTspice™和PartQuest™ Explore中导入和使用这些模型。资料详细说明了模型的特性、使用方法、能力限制以及如何获取模型。此外，还提供了模型在模拟中的行为示例，包括阈值电压、RDSon、输出特性、二极管特性、体效应、漏电流、击穿电压、电容和栅极电荷等。资料还讨论了模型与数据表之间的比较、模拟技巧和模型的完整模拟有效性范围。
AN90016 Maximum continuous currents in NEXPERIA LFPAK power MOSFETs
AN90030半桥拓扑结构中Nexperia氮化镓FET的并联应用笔记
本文档为Nexperia公司发布的关于GaN FET在半桥拓扑中并联的应用笔记。内容主要涉及GaN FET在半桥配置中的电路设计和PCB布局建议，包括电流共享、门极驱动设计、散热考虑、布局优化等方面。通过实际测试和数据分析，展示了如何实现GaN FET的均衡电流共享，确保系统稳定性和可靠性。
Nexperia氮化镓FET在半桥拓扑结构中的并联应用笔记
本应用笔记详细介绍了在半桥拓扑中并联Nexperia TO-247 GaN FET时的电路设计和PCB布局建议。内容涵盖GaN FET在半桥配置中的并联设计，包括电流共享、门极驱动设计、DC总线抑制和去耦电容等关键要素。此外，还提供了电路图、PCB布局和物料清单，以帮助设计师实现高效、稳定的GaN FET并联应用。
TN90002 H-bridge motor controller design using Nexperia discretesemiconductors and logic ICs Technical note
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Electrical Tools & Materials
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